Projekt megnevezése:
Epitaxiás átmeneti fém dikalkogenid rétegek hexagonális széles
tiltott sávú félvezetőkön fejlett elektronikai célokra (ETMOS)
Támogató: Nemzeti Kutatási Fejlesztési és Innovációs Hivatal
Kedvezményezett: Energiatudományi Kutatóközpont
Projekt azonosító: 2019-2.1.7-ERA-NET-2020-00001
Témavezető: Dr. Pécz Béla
A projekt támogatásának összege: 35 208 000Ft
Támogatásintenzitás: 100%
Futamidő: 2020.04.01-2023.03.31
A Projekt az Innovációs és Technológiai Minisztérium Nemzeti Kutatási, Fejlesztési és Innovációs Alapból nyújtott támogatásával, a Nemzeti Kutatási, Fejlesztési és Innovációs Hivatallal kötött támogatási szerződés alapján valósul meg
Az ETMOS projekt a 2D (két dimenziós)
rétegek növesztését akarja megvalósítani nagy átmérőjű félvezetőkön, amik
egyben széles tiltott sávú félvezetők, úgy mint: SiC, GaN, AlN és AlxGa1-xN
ötvözetek). A növesztésre molekulasugaras epitaxial és lézeres leválasztási
módszereket alkalmazunk miután a referencia mintákat gőzfázisú növesztéssel
előállítottuk. Főként a MoS2 és a WSe2 leválasztására
összpontosít a project.
Különböző szöggel (névlegesen a c tengelytől 4 °
-ig) elorientált 4H-SiC hordozókat használunk, hogy kiderítsük, ez hogyan
befolyásolja a nukleációt és a rétegek növekedését. Általánosan az várható,
hogy a lépcsők melletti nukleáció segíti a rétegnövekedést. Benchmarking
céljára kristályos zafír hordozókat is használunk.
A projekt egyik végső célja ellenőrzött vastagságú (egyrétegű rétegektől 5
rétegig terjedő) 2D félvezető rétegek leválasztása nagy kiterjedésű,
hexagonális kristályszerkezetű, széles tiltottsávú félvezető hordozókra.
Ugyanakkor az első növesztési kísérletekben kisméretű mintákat (1 cm x 1
cm) kell használni, amelyek célja a 2D domének nukleációjának és növekedésének
vizsgálata a molekuláris epitaxia, vagy lézeres leválasztás korai szakaszában,
a folyamat optimalizálása.